THB6032MQ具有下面特点：

双全桥MOSFET驱动

高耐压50VDC，大电流4.0A（峰值）

细分选择：1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32

自动衰减方式

内置温度保护及过流保护

THB6032S具有下面特点：

双全桥MOSFET驱动

低导通电阻Ron＝0.5Ω（上桥+下桥）

耐压50VDC，电流2.5A（峰值）

细分选择：1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32

自动衰减方式内置温度保护及过电流保护

为了方便客户了解THB系列芯片的性能，我公司专门为每一款芯片设计了测试板。

THB6064MQ具有下面特点：

双全桥MOSFET驱动

导通电阻Ron＝0.5Ω

高耐压50VDC，大电流4.2A（峰值）

细分选择：1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64

自动半流锁定功能4档衰减方式可调

内置温度保护及过流保护

为了方便客户了解THB系列芯片的性能，我公司专门为每一款芯片设计了测试板。

THB6128具有下面特点：

双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.55Ω耐压40VDC，电流2.2A（峰值）

细分选择：1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128

自动半流锁定功能

快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选

内置温度保护及过流保护

为了方便客户了解THB系列芯片的性能，我公司专门为每一款芯片设计了测试板。

THB6064AH具有下面特点：

双全桥MOSFET驱动

低导通电阻Ron＝0.4Ω

高耐压50VDC，大电流4.5A（峰值）

细分选择：1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64

自动半流锁定功能

4档衰减方式可调

内置温度保护及过流保护